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职位详情
基本信息
职位名称：功率半导体器件工程师
职位类型：实验技术岗
工作地点：广东东莞
招聘人数： 若干
报名方式：站内投递
截止时间：详见正文
用人部门：松山湖材料实验室
其他要求
学历要求：本科
需求专业：
物理学,,电气工程,,控制科学与工程
该需求专业仅展示一级学科
岗位职责
功率器件工程师将负责裸芯片、封装平台和系统的所有级别的功率电子应用中的基准测试、表征、测试和最佳性能定义。同时该职位还将负责使用所有必需的数据和格式维护产品数据表，与跨学科团队成员紧密合作，以进行产品开发以及产品性能的定义和表征。1, Work with system engineer to understand the system level requirements for the product. Propose appropriate bare die options with available sourcing channel. Proactively acquire die samples (including mechanical die) for characterization and record the data, and quotes as part of the proposal. 与系统工程师一起了解产品的系统级要求，提示适当的裸芯片候选产品，并挖掘可用的采购渠道，主动获取芯片样品（包括机械样品）以进行表征并记录数据，并作为报价的一部分进行报价。2, Characterization of power module sample and provide feedback to design for performance update. Work with system engineer regarding module level update. Collect all data necessary for datasheet preparation. 功率模块样品的表征，并为设计提供反馈以进行性能更新。与系统工程师合作进行模块级别更新，收集产品数据手册所需要的数据。3, Work with testing engineer regrading all biased qualification/reliability testing and data collection. Work with design engineer for fixture design required by all testing. 与测试工程师合作，对所有qual测试以及可靠性测试进行数据收集，与设计工程师合作进行测试夹具的设计。4, Co-owner of list of materials for testing in the High Power Lab. 大功率电力电子实验室中，同步负责所有测试材料。5, Propose FA per poor performance observed and/or failed samples. Work with FA to define possible cross sectional area for further investigation. 根据观察到的不良性能和、或失效的样本提出可能的失效原因，与FA工程师合作确定可能的检测的横断界面，以供进一步进行失效的根本原因分析。
任职要求
相关待遇：
（一）工资薪酬：提供有市场竞争力的薪酬待遇。
（二）六险一金：为职工办理六险一金。
（三）周转住房：为实验室职工提供周转住房。
（四）东莞松山湖新引进人才生活补贴：在实验室工作满1年，本科生一次性发放15000元，硕士研究生、博士研究生一次性发放30000元；工作满1年落户松山湖的博士研究生，再一次性发放50000元。
（五）东莞新时代创新人才引进培养补贴：
1.正高级职称：最高补贴额度30万元/人，分5年等额发放。
2.副高级职称或博士（不分正副高级的高级职称人才按副高级标准补贴）：最高补贴额度20万元/人，分5年等额发放。
3.硕士：最高补贴额度6万元/人，分3年等额发放。
4.中级职称或上年度在我市缴纳个人所得税不低于3万元：最高补贴额度6万元/人，分3年等额发放。
注：需在实验室工作满1年。新引进人才综合补贴每人限申领一次。符合条件的新引进人才可申领最高补贴额度的40%，符合条件且具有我市户籍的新引进人才可申领最高补补贴额度的100%。新引进人才按“就高从优不重复”的原则享受市财政有关人才政策待遇，重复部分予以核减。
（六）在职培训：提供相关专业与技术能力培训的机会。
（七）其他福利：年度体检、节日福利等，同时符合要求的应聘人员可享受广东省、东莞市各类人才政策。
应聘材料：
基本材料：简历、学历学位证书、身份证复印件；
证明材料：文章、发明专利、获奖证书等；
上述材料请通过E-mail发送至对应团队邮箱【快捷投递：点击下方“立即投递/简历投递”，即刻进行职位报名】。邮件主题请注明“×××应聘松山湖材料实验室+团队名称+岗位名称+高校人才网”字样。初审合格者，将电话或E-mail通知面试。（团队邮箱请下载附件查看）
（一）工资薪酬：提供有市场竞争力的薪酬待遇。
（二）六险一金：为职工办理六险一金。
（三）周转住房：为实验室职工提供周转住房。
（四）东莞松山湖新引进人才生活补贴：在实验室工作满1年，本科生一次性发放15000元，硕士研究生、博士研究生一次性发放30000元；工作满1年落户松山湖的博士研究生，再一次性发放50000元。
（五）东莞新时代创新人才引进培养补贴：
1.正高级职称：最高补贴额度30万元/人，分5年等额发放。
2.副高级职称或博士（不分正副高级的高级职称人才按副高级标准补贴）：最高补贴额度20万元/人，分5年等额发放。
3.硕士：最高补贴额度6万元/人，分3年等额发放。
4.中级职称或上年度在我市缴纳个人所得税不低于3万元：最高补贴额度6万元/人，分3年等额发放。
注：需在实验室工作满1年。新引进人才综合补贴每人限申领一次。符合条件的新引进人才可申领最高补贴额度的40%，符合条件且具有我市户籍的新引进人才可申领最高补补贴额度的100%。新引进人才按“就高从优不重复”的原则享受市财政有关人才政策待遇，重复部分予以核减。
（六）在职培训：提供相关专业与技术能力培训的机会。
（七）其他福利：年度体检、节日福利等，同时符合要求的应聘人员可享受广东省、东莞市各类人才政策。
应聘材料：
基本材料：简历、学历学位证书、身份证复印件；
证明材料：文章、发明专利、获奖证书等；
上述材料请通过E-mail发送至对应团队邮箱【快捷投递：点击下方“立即投递/简历投递”，即刻进行职位报名】。邮件主题请注明“×××应聘松山湖材料实验室+团队名称+岗位名称+高校人才网”字样。初审合格者，将电话或E-mail通知面试。（团队邮箱请下载附件查看）
其他说明
1, B.S. or above degree in Electrical, Electronics, System Engineering, and Physics or related discipline
电气工程， 电子，系统工程，物理等相关专业本科及以上学历。
2, Experience or familiar with high voltage/high power applications.
熟悉或在高压、大功率电力电子应用领域有经验。
3, Experience and/or knowledge in power electronic devices such as Si IGBT, MOSFET, Diode, SiC MOSFET, SBD, and GaN… etc.
有功率器件，如Si IGBT, MOSFET, Diode, SiC MOFET, SBD,以及GaN的知识储备或经验。
4, Familiar with characterization and testing of the power devices above. Know the Pros and Cons of each devices.
熟悉以上所属的功率器件的表征和测试，理解各种器件之间的特性及优劣势。
5, Familiar with device physics with certain knowledge in the processes of manufacturing
熟悉器件物理知识，且有一定的器件生产制造过程知识。
6, Passion in Wide Band Gap devices performance enhancement in all levels of applications
对提高WBG器件在系统中应用的性能充满激情。
电气工程， 电子，系统工程，物理等相关专业本科及以上学历。
2, Experience or familiar with high voltage/high power applications.
熟悉或在高压、大功率电力电子应用领域有经验。
3, Experience and/or knowledge in power electronic devices such as Si IGBT, MOSFET, Diode, SiC MOSFET, SBD, and GaN… etc.
有功率器件，如Si IGBT, MOSFET, Diode, SiC MOFET, SBD,以及GaN的知识储备或经验。
4, Familiar with characterization and testing of the power devices above. Know the Pros and Cons of each devices.
熟悉以上所属的功率器件的表征和测试，理解各种器件之间的特性及优劣势。
5, Familiar with device physics with certain knowledge in the processes of manufacturing
熟悉器件物理知识，且有一定的器件生产制造过程知识。
6, Passion in Wide Band Gap devices performance enhancement in all levels of applications
对提高WBG器件在系统中应用的性能充满激情。
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重要风险提示：如招聘单位在招聘过程中向求职者提出收取押金、保证金、体检费、材料费、成本费，或指定医院体检等，求职者有权要求招聘单位出具物价部门批准的收费许可证明材料，若无法提供相关证明，请求职者提高警惕，有可能属于诈骗或违规行为。