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职位详情
基本信息
职位名称：晶体生长技术专家
职位类型：实验技术岗
工作地点：福建福州
招聘人数： 1
报名方式：电子邮件
截止时间：详见正文
用人部门：福州大学-中国福建光电信息科学与技术创新实验室（闽都创新实验室）任意晶向自支撑大尺寸多孔GaN单晶衬底制备及应用项目组#
其他要求
学历要求：博士研究生
需求专业：
物理学,,化学,,材料科学与工程,,电子科学与技术
该需求专业仅展示一级学科
岗位职责
1、负责新型GaN单晶衬底生长工艺研发；2、负责HVPE生长工艺优化与设计，指导技术人员完成设备运行与维护；3、负责流动式气氛单晶提拉炉生长工艺研发，培训技术人员并建立标准作业流程；4、参与实验室建设和运营管理。
任职要求
1．应聘申请材料：应聘申请表、身份证/护照、学历/学位证书、学术成就目录、获奖证明、专利证书等复印件以及本人认为有必要提供的其他相关材料；
2．材料以“岗位名称+姓名+项目名称+高校人才网”命名发送至：Talentsfjoel.cn
2．材料以“岗位名称+姓名+项目名称+高校人才网”命名发送至：Talentsfjoel.cn
其他说明
1、具有物理、化学、材料、半导体或光电子等相关专业博士学位；
2、具有2年以上GaN晶体生长工作经验；
3、具有2年以上开放式提拉法晶体生长工作经验。
2、具有2年以上GaN晶体生长工作经验；
3、具有2年以上开放式提拉法晶体生长工作经验。
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重要风险提示：如招聘单位在招聘过程中向求职者提出收取押金、保证金、体检费、材料费、成本费，或指定医院体检等，求职者有权要求招聘单位出具物价部门批准的收费许可证明材料，若无法提供相关证明，请求职者提高警惕，有可能属于诈骗或违规行为。