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职位详情
基本信息
职位名称：外延生长工程师
职位类型：实验技术岗
工作地点：福建福州
招聘人数： 1
报名方式：电子邮件
截止时间：详见正文
用人部门：闽都创新实验室任意晶向自支撑大尺寸多孔GaN单晶衬底制备与应用研发项目组#
其他要求
学历要求：硕士研究生
需求专业：
材料科学与工程
该需求专业仅展示一级学科
岗位职责
1、负责GaN晶体外延生长实验，优化生长工艺，包括GaN薄膜外延及体块GaN单晶生长；2、参与GaN晶体外延设备优化及设计；3、晶体生长设备日常运行与维护；4、GaN晶体材料分析与测试表征；5、实验室安排的其它工作。
任职要求
1．应聘申请材料：应聘申请表、身份证/护照、学历/学位证书、学术成就目录、获奖证明、专利证书等复印件以及本人认为有必要提供的其他相关材料；
2．材料以“岗位名称+姓名+项目名称+高校人才网”命名发送至：Talents@fjoel.cn
2．材料以“岗位名称+姓名+项目名称+高校人才网”命名发送至：Talents@fjoel.cn
其他说明
1、硕士及以上学历，材料物理与化学等相关专业优先；
2、具有GaN晶体生长相关工作经验优先；
3、熟悉常见的机械设计软件，包括solidworks,CAD等；
4、熟悉使用CFD方法模拟计算流体力学问题者优先；
5、英语阅读和表达能力良好；
6、良好的协调沟通能力、逻辑思维能力，学习能力和时间观念，较强的原则性、抗压力及良好的职业道德。
2、具有GaN晶体生长相关工作经验优先；
3、熟悉常见的机械设计软件，包括solidworks,CAD等；
4、熟悉使用CFD方法模拟计算流体力学问题者优先；
5、英语阅读和表达能力良好；
6、良好的协调沟通能力、逻辑思维能力，学习能力和时间观念，较强的原则性、抗压力及良好的职业道德。
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重要风险提示：如招聘单位在招聘过程中向求职者提出收取押金、保证金、体检费、材料费、成本费，或指定医院体检等，求职者有权要求招聘单位出具物价部门批准的收费许可证明材料，若无法提供相关证明，请求职者提高警惕，有可能属于诈骗或违规行为。